快閃記憶體,係一種EEPROM嘅形式,可以喺操作中多次擦寫嘅記憶體。呢種科技主要用喺一般性資料儲存,同埋喺電腦同其他數碼產品之間交換傳輸資料,例如記憶卡USB手指。快閃記憶體係一種特殊嘅、以大區塊抹寫嘅EEPROM。早期嘅快閃記憶體進行一次抹除,就會清嗮全部喺晶片上嘅資料。

快閃記憶體嘅成本遠比可以位元組為單位寫入嘅EEPROM低[1],亦因為咁成為咗非揮發性固態儲存最重要亦最廣為採納嘅技術。PDA、手提電腦、數碼隨身聽、數碼相機同埋手機上都有用到快閃記憶體。另外,快閃記憶體喺遊戲主機上嘅採用亦都越嚟越多,取代咗儲存遊戲資料用嘅EEPROM或者帶有電池嘅SRAM

快閃記憶體係非揮發性嘅記憶體,即係話保存資料係唔用電嘅。同硬碟相比,快閃記憶體有更好嘅動態抗震性。呢啲特性就係快閃記憶體俾流動裝置廣泛採用嘅原因。快閃記憶體重有一項特性:當佢整成記憶卡時非常可靠──即使浸嚟水度都可以抵抗高壓同極端嘅溫度。佢嘅寫入速度通常都慢過讀取速度好多。

雖然快閃記憶體喺技術上屬於EEPROM,但係「EEPROM」呢個字眼通常特指非快閃式、以位元組為清除單位嘅EEPROM。Flash嘅清除單位係區塊。因為舊式嘅EEPROM抹除循環好慢,相比之下快閃記憶體比較大嘅抹除區塊喺寫入大量資料時候係明顯有速度優勢。

快閃記憶體又分做NOR同NAND兩型,最常見嘅封裝方式係TSOP48同BGA,喺邏輯接口上嘅標準就由廠商陣營而分成兩種:ONFI同Toggle。

SanDisk Cruzer Titanium隨身碟嘅印刷電路板上嘅Samsung快閃記憶體(左)同單片機(右)

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參考 編輯