EEPROM
EEPROM，或者叫E2PROM，全稱電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （英文：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），係一種可以通過電子方式多次複寫嘅半導體儲存設備。相比EPROM，EEPROM唔需要用紫外線照射，亦唔使除低，就可以用特定嘅電壓，嚟抹除集成電路上嘅信息，以寫低新嘅數據。
EEPROM有4種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取嘅時候，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入嘅時候，芯片通過Vpp（一般+25V，新嗰啲可能會用 12V 或 5V）攞到編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除嘅時候，只需要用Vpp高電壓，唔需要紫外線，就可以擦除指定地址嘅內容。為咗保證寫入正確，喺每寫入一塊數據之後，都要進行類似讀取嘅校驗步驟，如果錯咗就要重新寫入。依家嘅EEPROM通常唔需要用額外嘅Vpp電壓，寫入時間都已經縮短。
由於EEPROM嘅優秀性能，同埋喺線上操作嘅便利，佢廣泛用喺需要經常擦除嘅BIOS晶片以及快閃記憶體芯片，並逐步替代部分有斷電保留需要嘅RAM晶片，甚至取代部份嘅硬碟功能（睇SSD）。佢同高速RAM成為咗當前（2000年代）最常用同發展最快嘅兩種儲存技術。
歷史 編輯
1978年，英特爾公司嘅George Perlegos喺EPROM技術嘅基礎上，改用薄嘅閘極氧化層，因此唔需要紫外光，晶片就可以用電氣方式抹除自身嘅位元，因而開發出型號2816嘅16kbit EEPROM。Perlegos同一啲同事後來離開英特爾，創立 Seeq Technology 公司後，喺晶片上內建電荷泵（charge pump）以提供燒錄時自身所需嘅高電壓，因而推出只需要5V電壓嘅EEPROM，方便實施線上燒錄（In-System Programming，ISP 或者叫 In-Circuit Programming，ICP）。[1]
EEPROM元件嘅類型 編輯
有啲EEPROM係包含喺其他元件中，係呢個元件嘅一部份。例如：MCU 中可能包含用嚟儲存程式或者資料嘅EEPROM、數位電位器（Digital Potentiometer）入面都需要 EEPROM 嚟儲存目前嘅設定值。
單獨嘅EEPROM元件，佢嘅通信口通常可以分成串行（serial）同並行（parallel）兩類。除咗電源線外，串行通信口只係用1~4隻接線嚟傳遞訊號，所需接腳比並行式少啲，通常用嚟儲存資料。執行用嘅程式就通常放喺並行式嘅EEPROM中，以方便存取。
序列式EEPROM 編輯
- Microwire 通信口（4線）：型號係以 93 開頭嘅系列。例：93C46
- I2CTM 通信口（2線）：型號係以 24 開頭嘅系列。例：24LC02
- SPI 通信口（3線）：型號係以 25 開頭嘅系列。例：25LC08
- UNI/OTM通信口（1線）：由 Microchip公司出品，型號係以 11 開頭嘅系列。
- 1-Wire® 通信口（1線）：由 Dallas / Maxim 公司出品。
並列式EEPROM 編輯
型號通常係以 28 開頭嘅系列。
至於型號通常係以 29 或者 49 開頭嘅系列，寫入要用大啲嘅區塊為單位，呢種記憶體一般會用Flash（快閃記憶體）嚟稱呼。至於可以用小單位（例如位元組）擦除或者寫入先用EEPROM稱呼，以作區別。
參考 編輯
- ↑ Rostky, George (July 3, 2002). "Remembering the PROM knights of Intel". EE Times. 原著喺2007-09-29歸檔. 喺2010-04-21搵到.