EEPROM

EEPROM，或者叫E²PROM，全稱電子抹除式可複寫唯讀記憶體 （英文：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），係一種可以通過電子方式多次複寫嘅半導體儲存設備。相比EPROM，EEPROM唔需要用紫外線照射，亦唔使除低，就可以用特定嘅電壓，嚟抹除集成電路上嘅信息，以寫低新嘅數據。

放喺美國硬幣上嘅一個SOT-23封裝同正反面兩枚超微型DFN封裝嘅序列式EEPROM，型號11LC160，容量16kbit

一個4Mbit (= 512 KB) 容量，型號 29C040嘅Flash EEPROM

EEPROM有4種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取嘅時候，芯片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入嘅時候，芯片通過Vpp（一般+25V，新嗰啲可能會用 12V 或 5V）攞到編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除嘅時候，只需要用Vpp高電壓，唔需要紫外線，就可以擦除指定地址嘅內容。為咗保證寫入正確，喺每寫入一塊數據之後，都要進行類似讀取嘅校驗步驟，如果錯咗就要重新寫入。依家嘅EEPROM通常唔需要用額外嘅Vpp電壓，寫入時間都已經縮短。

由於EEPROM嘅優秀性能，同埋喺線上操作嘅便利，佢廣泛用喺需要經常擦除嘅BIOS晶片以及快閃記憶體芯片，並逐步替代部分有斷電保留需要嘅RAM晶片，甚至取代部份嘅硬碟功能（睇SSD）。佢同高速RAM成為咗當前（2000年代）最常用同發展最快嘅兩種儲存技術。

歷史

1978年，英特爾公司嘅George Perlegos喺EPROM技術嘅基礎上，改用薄嘅閘極氧化層，因此唔需要紫外光，晶片就可以用電氣方式抹除自身嘅位元，因而開發出型號2816嘅16kbit EEPROM。Perlegos同一啲同事後來離開英特爾，創立 Seeq Technology 公司後，喺晶片上內建電荷泵（charge pump）以提供燒錄時自身所需嘅高電壓，因而推出只需要5V電壓嘅EEPROM，方便實施線上燒錄（In-System Programming，ISP 或者叫 In-Circuit Programming，ICP）。

EEPROM元件嘅類型

有啲EEPROM係包含喺其他元件中，係呢個元件嘅一部份。例如：MCU 中可能包含用嚟儲存程式或者資料嘅EEPROM、數位電位器（Digital Potentiometer）入面都需要 EEPROM 嚟儲存目前嘅設定值。

單獨嘅EEPROM元件，佢嘅通信口通常可以分成串行（serial）同並行（parallel）兩類。除咗電源線外，串行通信口只係用1~4隻接線嚟傳遞訊號，所需接腳比並行式少啲，通常用嚟儲存資料。執行用嘅程式就通常放喺並行式嘅EEPROM中，以方便存取。

序列式EEPROM

• Microwire 通信口（4線）：型號係以 93 開頭嘅系列。例：93C46
• I2C^TM 通信口（2線）：型號係以 24 開頭嘅系列。例：24LC02
• SPI 通信口（3線）：型號係以 25 開頭嘅系列。例：25LC08
• UNI/O^TM通信口（1線）：由 Microchip公司出品，型號係以 11 開頭嘅系列。
• 1-Wire^® 通信口（1線）：由 Dallas / Maxim 公司出品。

並列式EEPROM

型號通常係以 28 開頭嘅系列。

至於型號通常係以 29 或者 49 開頭嘅系列，寫入要用大啲嘅區塊為單位，呢種記憶體一般會用Flash（快閃記憶體）嚟稱呼。至於可以用小單位（例如位元組）擦除或者寫入先用EEPROM稱呼，以作區別。